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阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究

谢建军 , 施鹰 , 王剑 , 袁晖 , 宋国新 , 陈良 , 陈俊锋

人工晶体学报

本文报道了阴离子F~-, Cl~-, I~- 和S~(2-)掺杂的PbWO_4晶体的生长与发光性能.通过对掺杂PbWO_4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F~-掺杂能使PbWO_4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO_4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献.而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO_4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO_4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动.

关键词: 阴离子掺杂 , PbWO_4晶体 , 光产额 , 发光衰减

Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性

汪美玲 , 徐家跃 , 张彦 , 储耀卿 , 杨波波 , 申慧 , 田甜

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160221

采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mo1%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145%.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.

关键词: 硅酸铋 , 晶体生长 , Dy3+掺杂 , 热释光 , 光产额

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